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Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente
Halbleiter-Elektronik 23
ISBN/EAN: 9783540234371
Umbreit-Nr.: 1711256
Sprache:
Deutsch
Umfang: xviii, 429 S.
Format in cm: 2.9 x 24.1 x 16.5
Einband:
gebundenes Buch
Erschienen am 17.03.2005
Auflage: 1/2005
- Zusatztext
- InhaltsangabeLogik- und Speicherstrukturen und prinzipielles MOSFET-Verhalten.- Konzepte der CMOS-Logik und HF-Technologie.- Auf vertikalen bzw. quasivertikalen Transistoren basierende Speicher.- Vertikal- und Quasivertikalkonzepte Siliziumbasierter Leistungs-MOSFETs.
- Kurztext
- Unter den Konzepten für siliziumbasierte MOS-Bauelemente finden sich neben dem klassischen Lateralkonzept Vertikal- und Quasivertikalkonzepte. Das Buch widmet sich der Erörterung der (quasi)vertikalen MOS-Bauelementkonzepte für Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor stützt sich auf ein umfängliches Quellenmaterial, das in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurde. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden, und untersucht die Relevanz, die (quasi)vertikale Konzepte für die siliziumbasierte MOS-Technologie erlangen können. Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschäftigen.
- Autorenportrait
- InhaltsangabeLogik- und Speicherstrukturen und prinzipielles MOSFET-Verhalten.- Konzepte der CMOS-Logik und HF-Technologie.- Auf vertikalen bzw. quasivertikalen Transistoren basierende Speicher.- Vertikal- und Quasivertikalkonzepte Siliziumbasierter Leistungs-MOSFETs.